3D NAND flash bellek, veri depolama alanında son yıllarda büyük ilerleme kaydeden bir teknolojidir. 3D NAND flash bellek, veri depolama hücrelerini yatay değil, dikey olarak üst üste dizerek daha fazla veriyi daha az alanda depolamayı sağlar. Bu sayede hem kapasite hem de performans artar.

Kioxia ve WD, 3D NAND flash bellek teknolojisinde ortak araştırma ve üretim yapmaktadır. Şirketler, 2019 yılında 128 katmanlı BiCS 4 adlı ilk 3D NAND flash bellek yongalarını piyasaya sürmüştür. Bu yongalar, 512 gigabit (Gb) kapasiteye sahiptir.

Şimdi ise şirketler, 300’den fazla katmanlı BiCS 6 adlı yeni nesil 3D NAND flash bellek yongalarının ayrıntılarını paylaşacaklarını açıkladılar. Bu yongalar, 1 terabit (Tb) kapasiteye sahiptir. Bu da BiCS 4’e göre iki kat daha fazla kapasite anlamına gelir.

Şirketler, bu teknolojinin nasıl mümkün olduğunu önümüzdeki günlerde düzenlenecek olan 2023 VLSI Teknolojisi ve Devreleri Sempozyumu’nda anlatacaklar. Şirketler, yeni teknolojinin özellikleri, avantajları ve uygulamaları hakkında bilgi verecekler.

Kioxia ve WD’nin geliştirdiği 300’den fazla katmanlı 3D NAND flash bellek teknolojisi, veri depolama alanında devrim yaratacak bir teknoloji olarak görülüyor. Bu teknoloji sayesinde hem tüketici hem de kurumsal pazarlarda daha yüksek kapasiteli ve daha yüksek performanslı veri depolama çözümleri sunulabilecek. Bu da veri yoğunluğunun arttığı günümüzde büyük bir önem taşıyor.

The post Kioxia ve WD, Veri Depolama Alanında Devrim Yaratacak Teknolojiyi Açıkladı appeared first on TechWorm.